芯联集成发布3300V碳化硅MOSFET 行业资讯 6月25日，芯联集成推出全新3300VSiCMOSFET，器件依托企业自研8英寸高压平面栅碳化硅工艺平台开发，专为固态变压器这类高压高功率高可靠场景定制，现已送至核心客户开展样品验证。这款高压SiC器件单元面积更小，导通电阻与栅电荷综合优值表现优异，导通、开关性能得到优化。将其应用在10kV中压固态变压器前端时，对比行业主流1200V方案，功率单元与MOSFET使用数量可缩减六成，配套外围元器件削 芯城品牌采购网 2026-06-26 3625 芯联集成3300VSiCMOSFET高压碳化硅器件
芯联集成推出3300VSiCMOSFET，大幅降低固态变压器整机成本 行业资讯 A股功率半导体企业芯联集成发布全新3300VSiCMOSFET，产品依托自研8英寸碳化硅工艺平台打造，专为固态变压器等高功率高压场景定制，现已送至核心客户开展样品验证。这款器件采用自研高压平面栅SiC工艺，单元面积更小，导通电阻与栅电荷综合优值表现突出，开关、导通性能实现优化，补齐国内固态变压器功率级高压碳化硅器件供给缺口，也是企业在AI算力电源赛道的重要技术落地成果。对比行业主流1200V器件方 芯城品牌采购网 2026-06-23 1736 芯联集成AI算力SiC MOSFET8英寸碳化硅
