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芯联集成发布 3300V 碳化硅 MOSFET
6 月 25 日，芯联集成推出全新 3300V SiC MOSFET，器件依托企业自研 8 英寸高压平面栅碳化硅工艺平台开发，专为固态变压器这类高压高功率高可靠场景定制，现已送至核心客户开展样品验证。
这款高压 SiC 器件单元面积更小，导通电阻与栅电荷综合优值表现优异，导通、开关性能得到优化。将其应用在 10kV 中压固态变压器前端时，对比行业主流 1200V 方案，功率单元与 MOSFET 使用数量可缩减六成，配套外围元器件削减七成，整机综合物料成本下降 20% 至 35%，有效推动固态变压器小型化、高频化发展。
为完善配套产业链，芯联集成同步预告，后续将推出适配该款 3300V SiC MOSFET 的高频高耐压磁性元器件。
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